Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFM2N111
FDFM2N111 Hakkında
FDFM2N111, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 100mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde reverse recovery kayıplarını azaltır. 3x3mm MicroFET paketinde sunulan komponent, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDFM2N111, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount teknolojisi ile otomasyon üretim proseslerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 273 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFET 3x3mm |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok