Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFC3N108

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDFC3N108

FDFC3N108 Hakkında

FDFC3N108, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey montajlı paket türü ile sunulan bu bileşen, 70mΩ maksimum on-direnç değerine sahiptir. Entegre Schottky diyot özelliği içermektedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge karakteristiği (4.9nC @ 4.5V) ile anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, güç yönetimi devrelerinde ve genel anahtarlama işlemlerinde kullanılır. ±12V maksimum gate gerilimi ve 1.5V threshold gerilimi ile kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok