Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8896-G
MOSFET N-CH 30V TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8896
FDD8896-G Hakkında
FDD8896-G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 17A sürekli drenaj akımı kapasitesine (Ta @ 25°C) ve 5.7mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge değeri (60nC @ 10V) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalara uygundur. Maksimum 80W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır. Bileşen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 94A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2525 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok