Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD8896-F085

MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD8896

FDD8896-F085 Hakkında

FDD8896-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 17A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulur. Düşük on-state direnci (Rds On) 5.7mOhm özelliği ile güç kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 80W maksimum güç dağıtma kapasitesi sayesinde orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 94A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok