Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD8896

MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD8896

FDD8896 Hakkında

FDD8896, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 17A sürekli akım (Ta@25°C) ile tasarlanmıştır. Maksimum 94A akım kapasitesine (Tc) sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (5.7mOhm @ 10V, 35A) ile enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan FDD8896, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, maksimum 80W güç dağıtabilir ve 4.5V ile 10V arasında drive gerilimi gerektirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 94A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok