Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8882
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8882
FDD8882 Hakkında
FDD8882, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 55A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 11.5mΩ on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 55W maksimum güç saçılımı tolere eder. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün kullanım dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.6A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok