Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8880
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8880
FDD8880 Hakkında
FDD8880, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj, 13A sürekli drain akımı (Ta) ve 58A maksimum drain akımı (Tc) özellikleriyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket içerisinde gelmektedir. 9mOhm maksimum on-state drain-source direnci (10V gate voltajında) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate eşik voltajı 2.5V (@250µA) ve maksimum gate voltajı ±20V'tur. 55W maksimum güç dissipasyonu ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılan bir transistördür. 1260pF input kapasitansi (15V Vds'de) ve 31nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok