Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8878
MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8878
FDD8878 Hakkında
FDD8878, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 11A sürekli (Ta 25°C) veya 40A (Tc 25°C) kollektör akımı sağlayabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Düşük on-state direnci (15mOhm @ 10V, 35A) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +175°C arasında güvenilir operasyon sunar. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, PWM kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 40W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile entegre tasarımlarda yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok