Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD8876

MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD8876

FDD8876 Hakkında

FDD8876, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 15A sürekli (Ta) ve 73A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (8.2mOhm @ 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 70W güç dissipasyonu kapasitesiyle DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 4.5V-10V drive voltajında çalışan, hızlı anahtarlama özelliğine sahip bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 73A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok