Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8874
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8874
FDD8874 Hakkında
FDD8874, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 18A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5.1mΩ maksimum on-state direnç (10V gate voltajında 35A akımda) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 110W güç tüketebilir. Gate charge karakteristiği 72nC (10V'da) olup, 2990pF input kapasitansı bulunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 2.5V threshold voltajı ile geniş uygulamalar alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 116A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2990 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok