Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8782
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8782
FDD8782 Hakkında
FDD8782, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençli (11mOhm @ 35A, 10V) özelliğiyle güç uygulamalarında etkili bir anahtarlama elemanı olarak çalışır. Maksimum 50W güç saçabilme kapasitesine sahip olan FDD8782, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Cihazın durumu üretime alınmamıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok