Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8780
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8780
FDD8780 Hakkında
FDD8780, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük geçiş direnci (8.5mOhm @ 35A, 10V) sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde üretilen bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, LED sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 50W maksimum güç tüketimi ve 29nC gate charge özelliği ile kontrol devrelerinde verimli çalışma sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok