Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8778
FDD8778 Hakkında
FDD8778, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sağlar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5V kapı eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 39W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok