Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8770
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8770
FDD8770 Hakkında
FDD8770, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4mΩ maksimum On-Resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C işletim sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 115W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10V gate geriliminde 73nC gate charge ve 3720pF giriş kapasitansı özellikleri ile karakterize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3720 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok