Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD86580-F085

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD86580

FDD86580-F085 Hakkında

FDD86580-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (19mOhm @ 50A, 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. TO-252-3 (DPak) paketlemesi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 10V gate drive voltajı ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok