Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD86369
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD86369
FDD86369 Hakkında
FDD86369, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 7.9mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 150W maksimum güç dağıtabilen bu transistör, 10V gate drive voltajında tam olarak açılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok