Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD86367
FDD86367 Hakkında
FDD86367, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüzey montajlı tasarımı sayesinde kompakt elektronik devrelere entegre edilebilir. 4.2mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4840 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok