Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD86326

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD86326

FDD86326 Hakkında

FDD86326, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj (Vdss) ile tasarlanmış olup, sürekli akım kapasitesi 8A (ortam sıcaklığında) veya 37A (kasa sıcaklığında) değerlerine ulaşır. 23mΩ maksimum on-resistance (10V, 8A koşullarında) ile düşük kayıp operasyonu sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Geniş voltaj ve akım özellikleri sayesinde güç yönetimi, motor kontrolü, anahtar modlu güç kaynakları ve diğer endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1035 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok