Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD86113LZ
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD86113
FDD86113LZ Hakkında
FDD86113LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source geriliminde 4.2A (Ta) / 5.5A (Tc) sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 104mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaynakta enerji kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 29W'a kadar güç dağıtabilir. 6nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 285 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok