Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD86110
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD86110
FDD86110 Hakkında
FDD86110, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 12.5A sürekli akım ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük 10.2mOhm Rds(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 10V gate voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2265 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok