Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD86102
FDD86102LZ Hakkında
FDD86102LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source geriliminde çalışan bu bileşen, 8A sürekli (Ta) ve 35A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 22.5mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan FDD86102LZ, güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamaları için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok