Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD86102
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD86102
FDD86102 Hakkında
FDD86102, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim kapasitesi ile 8A sürekli akım (Ta) ve 36A sürekli akım (Tc) sağlayabilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 24mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 19nC gate charge ve 1035pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1035 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok