Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD86081-F085

MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD86081

FDD86081-F085 Hakkında

FDD86081-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 21.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 31.5mOhm on-resistance değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta), 21.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 493 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.5mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 36µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok