Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8586
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8586
FDD8586 Hakkında
FDD8586, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source geriliminde 35A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 5.5mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim direnci sunar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, maksimum 77W güç yayımlama kapasitesi ile endüstriyel ve bilgisayar uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (48nC @ 10V) ve input capacitance (2480pF @ 10V) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok