Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8586
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8586
FDD8586 Hakkında
FDD8586, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 5.5mOhm RDS(on) değeriyle verimli güç yönetimi sağlar. 48nC gate charge ve 2480pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlamaya olanak tanır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 77W maksimum güç tüketimi desteği ile orta güç seviyesi uygulamaları için uygundur. Cihaz obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok