Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD8580

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD8580

FDD8580 Hakkında

FDD8580, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 9mOhm (10V, 35A) düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 49.5W güç dağıtabilir. 27nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1445 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 49.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok