Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD850N10LD
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD850N10L
FDD850N10LD Hakkında
FDD850N10LD, onsemi tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 15.3A sürekli drain akımı özelliklerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 75mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge karakteristiği (28.9nC) hızlı anahtarlama özellikleri için uygundur. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1465 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (DPak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok