Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD850N10LD
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD850N10
FDD850N10LD Hakkında
FDD850N10LD, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 15.3A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. TO-252-5 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 75mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate gerilimi ±20V'a kadar tolerans gösterir. SMPS, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 28.9nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1465 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok