Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD850N10L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD850N10L
FDD850N10L Hakkında
FDD850N10L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 15.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 75mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüleri ve yük yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 28.9 nC olup, hızlı anahtarlama performansı gerekli uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1465 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok