Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD850N10L
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD850N10L
FDD850N10L Hakkında
FDD850N10L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 15.7A maksimum drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipinde Surface Mount teknolojisi ile monte edilir. 75mOhm (10V, 12A) on-state direnci sayesinde düşük kayıp ile yüksek verimlilik sağlar. SMPS (Switch Mode Power Supply), motor kontrolü, LED sürücüsü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1465 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok