Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8451
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8451
FDD8451 Hakkında
FDD8451, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç kayıpları sağlayan bir komponenttir. 24mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığı gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun hale getirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 990 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok