Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD8444L
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD8444L
FDD8444L Hakkında
FDD8444L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj derecesi ve 16A (Ta) / 50A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği gösterir. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 153W güç disipasyonu kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. Dönem sonu (obsolete) ürün statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 153W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok