Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD7N60NZTM
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD7N60NZ
FDD7N60NZTM Hakkında
FDD7N60NZTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 5.5A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. 10V gate geriliminde maksimum 1.25Ω on-direnç ile yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında etkin bir şekilde kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan FDD7N60NZTM, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok