Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD7N25LZTM
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD7N25LZ
FDD7N25LZTM Hakkında
FDD7N25LZTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj derecelendirilmiş ve 6.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 550mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. 16nC gate charge ve 635pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 635 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok