Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6N50TM
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6N50TM
FDD6N50TM Hakkında
FDD6N50TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürücü voltajında 900mΩ üzerinde düşük on-state direnci gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDD6N50TM, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 16.6nC, input kapasitansi ise 25V'de 9400pF'dir. 89W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok