Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6N50FTM
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6N50FT
FDD6N50FTM Hakkında
FDD6N50FTM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) SMD pakajında sunulan bu transistör, 10V gate sürücü geriliminde 1.15Ω maksimum Rds(on) değeri ile iletim kayıplarını sınırlandırır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 89W güç dağıtabilir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 19.8nC gate charge ve 960pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok