Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6N50FTF

MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6N50FTF

FDD6N50FTF Hakkında

FDD6N50FTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi (Vdss) ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 1.15Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 89W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle orta güçlü devrelerde etkin bir çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok