Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6N25TM
FDD6N25TM Hakkında
FDD6N25TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajı ve 4.4A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.1Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan FDD6N25TM, anahtarlama devreleri, dc-dc konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 6nC gate charge ve 250pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok