Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6N25TF

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6N25TF

FDD6N25TF Hakkında

FDD6N25TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) Surface Mount paketlemesiyle tasarlanmıştır. 1.1Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde 2.2A akımda) ile verimli anahtarlama sağlar. Gate threshold gerilimi 5V olup, ±30V maksimum gate gerilimi toleransı vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 50W güç dağıtımına sahip bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük input kapasitesi (250pF @ 25V) hızlı anahtarlama işlemlerine uygun kılmaktadır. Ürün şu anda üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok