Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6N20TF
MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6N20TF
FDD6N20TF Hakkında
FDD6N20TF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 800mOhm maksimum RDS(on) direnci ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 40W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç seviyesindeki uygulamalara uygun bir bileşendir. Ürün mevcut üretimden çıkışlığı nedeniyle stok kontrolü yapılmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok