Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6796

FDD6796 Hakkında

FDD6796, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 20A sürekli akım (Ta=25°C) ve 42W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan FDD6796, 5.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve ±20V maksimum gate gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 41nC gate charge ve 2315pF input capacitance değerleri hızlı switching performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2315 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok