Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6796

FDD6796 Hakkında

FDD6796, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 5.7mOhm maksimum on-direnç değeri ve 41nC kapı yükü ile düşük güç kaybında çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 3.7W (Ta) ve 42W (Tc) güç yayılım kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2315 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok