Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6782A

MOSFET N-CH 25V 20A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6782A

FDD6782A Hakkında

FDD6782A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 10.5mΩ on-dirençli özelliği sayesinde güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışan FDD6782A, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, şarj yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 27nC gate şarjı ve 1065pF giriş kapasitesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Kapsama gücü (Ta'da) 3.7W, junksiyon sıcaklığında ise 31W'tır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1065 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 14.9A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok