Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6780
MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6780
FDD6780 Hakkında
FDD6780, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilim derecelendirilmesine sahip bu bileşen, 16.5A sürekli (Ta'da) ve 30A (Tc'de) Drain akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) maksimum değeri 8.5mΩ (16.5A, 10V'de) olup, düşük iletim kaybı gerektiren uygulamalara uygundur. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate yükü 29nC @ 10V ve giriş kapasitansi 1590pF @ 13V'dir. Güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1590 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok