Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6778A

MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6778A

FDD6778A Hakkında

FDD6778A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj yeteneğine sahip bu bileşen, 25°C'de 12A (Ta) ve 175°C'de 10A (Tc) sürekli dren akımı sağlayabilir. 10V gate voltajında 14mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci özelliğine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde çeşitli endüstriyel uygulamalara uygun ve 3.7W (Ta) / 24W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok