Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6778A
FDD6778A Hakkında
FDD6778A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C'de 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 14mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok