Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6776A

MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6776A

FDD6776A Hakkında

FDD6776A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ve 17.7A (Ta) / 30A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 7.5mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıpla çalışır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +175°C) kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alan bu MOSFET, hızlı komütasyon ve düşük gate charge karakteristiği ile tasarlanmıştır. Maksimum 3.7W (Ta) / 39W (Tc) güç disipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.7A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 17.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok