Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6776A

MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6776A

FDD6776A Hakkında

FDD6776A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile maksimum 17.7A sürekli dren akımına sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, 7.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 29nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç kaynağı yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.7A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 17.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok