Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6770A
24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6770A
FDD6770A Hakkında
FDD6770A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source geriliminde 24A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 4mOhm düşük RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. Surface mount D-PAK (TO-252) paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 65W'a kadar güç tüketebilen FDD6770A, hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapı yükü (47nC) ile endüstriyel ve tüketici elektroniksi uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2405 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok