Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6696

MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6696

FDD6696 Hakkında

FDD6696, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ile 13A sürekli akım (Ta=25°C) ve 50A (Tc=25°C) kapasitesine sahiptir. 8mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 3.8W (Ta) / 52W (Tc) güç dissipasyonu derecesi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun kılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1715 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok